解決方案
低溫智能鋰電池管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案
發(fā)布時(shí)間：
2016-04-23
本文介紹了一種低溫智能鋰電池管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案，對(duì)20Ah 4串8并的32節(jié)單體電芯進(jìn)行管理。該方案具有基本保護(hù)、電量計(jì)量、充電均衡和故障記錄功能。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證該系統(tǒng)各項(xiàng)功能性能良好，達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
目前的電池管理系統(tǒng)大多為大容量電池組、短續(xù)航時(shí)間的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，這種管理系統(tǒng)服務(wù)的設(shè)備功耗大，電池的循環(huán)時(shí)間短，管理系統(tǒng)自身的功耗也不低，不適合在低功耗儀表場(chǎng)上使用。某燃?xì)膺h(yuǎn)程監(jiān)控儀表，平均系統(tǒng)電流僅為幾毫安，要求在低溫下連續(xù)運(yùn)行6個(gè)月以上，為了滿足該工程的應(yīng)用，本文介紹了一種低溫智能鋰電池管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案，對(duì)20Ah 4串8并的32節(jié)單體電芯進(jìn)行管理。具有基本保護(hù)、電量計(jì)量、充電均衡和故障記錄功能。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證該系統(tǒng)各項(xiàng)功能性能良好，達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
1、系統(tǒng)的總體結(jié)構(gòu)
低溫鋰電池管理系統(tǒng)主要由基本保護(hù)電路、電量計(jì)、均衡電路、二級(jí)保護(hù)等幾個(gè)部分組成，如圖1所示。
基于低功耗的考慮，設(shè)計(jì)中采用了許多低功耗器件，如處理器采用MSP430FG439低功耗單片機(jī)；電壓基準(zhǔn)采用REF3325，該基準(zhǔn)電源的功耗極低僅3.9μA；運(yùn)放用了工作電流僅1.5μA的LT1495；數(shù)字電位器采用了靜態(tài)電流低至50nA的AD5165等。對(duì)工作電流較大的間歇性工作電路增加了電源管理電路，以降低能耗。低溫電池組的額定電壓為14.8V，由4組電芯串聯(lián)而成，每組電芯包含8節(jié)單體電 芯，正常的工作電壓為2.5~4.2V。
每個(gè)采集周期采集各組電芯的電壓，處理器根據(jù)電壓大小給保護(hù)執(zhí)行電路發(fā)出指令，執(zhí)行相應(yīng)的保護(hù)動(dòng)作。均衡電路用單片機(jī)和三極管實(shí)現(xiàn)，代替了均衡專用芯片。系統(tǒng)會(huì)把電壓電流和溫度的最值、電池已使用的時(shí)間、剩余電量和其他異常信息記錄在存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)。處理器提供了TTL通信接口，現(xiàn)場(chǎng)的計(jì)算機(jī)可以通過(guò)一個(gè)TTLRS232轉(zhuǎn)換模塊讀取存儲(chǔ)設(shè)備中的日志。充電過(guò)程中為了防止MCU死機(jī)等異常而出現(xiàn)保護(hù)失效。增加了二級(jí)保護(hù)電路，若電壓超出預(yù)設(shè)值，將會(huì)啟動(dòng)二級(jí)保護(hù)電路，熔斷三端保險(xiǎn)絲，阻止事故的發(fā)生。
2、硬件設(shè)計(jì)
2.1 保護(hù)執(zhí)行電路
保護(hù)執(zhí)行電路是保護(hù)動(dòng)作的執(zhí)行機(jī)構(gòu)，CH是充電控制開(kāi)關(guān)，DISCH是放電控制開(kāi)關(guān)，通過(guò)控制CH和DISCH做出相應(yīng)的保護(hù)動(dòng)作，電路圖如圖2所示。
CH和DISCH在正常工作時(shí)置為低電平，此時(shí)M1和M2均導(dǎo)通。當(dāng)出現(xiàn)放電過(guò)流或者過(guò)放電狀態(tài)，DISCH置為高電平，此時(shí)Q2斷開(kāi)，Q3導(dǎo)通，將M2柵極電容的電荷迅速放電，使M2能瞬間關(guān)閉，完成保護(hù)。當(dāng)出現(xiàn)充電過(guò)流或者過(guò)充電狀態(tài)，將CH置為高電平，關(guān)閉M1。電路中MOSFET選用了IRF4310，該MOSFET導(dǎo)通電阻僅為7kΩ，通流能力可達(dá)140A。
CH和DISCH在正常工作時(shí)置為低電平，此時(shí)M1和M2均導(dǎo)通。當(dāng)出現(xiàn)放電過(guò)流或者過(guò)放電狀態(tài)，DISCH置為高電平，此時(shí)Q2斷開(kāi)，Q3導(dǎo)通，將M2柵極電容的電荷迅速放電，使M2能瞬間關(guān)閉，完成保護(hù)。當(dāng)出現(xiàn)充電過(guò)流或者過(guò)充電狀態(tài)，將CH置為高電平，關(guān)閉M1。電路中MOSFET選用了IRF4310，該MOSFET導(dǎo)通電阻僅為7kΩ，通流能力可達(dá)140A。
2.2 均衡電路和二級(jí)保護(hù)
圖3（a）給出了某組電芯充電均衡電路的示意圖，充電均衡電路由4個(gè)該種單元串聯(lián)而成。由單片機(jī)采集ADV端電壓，可得到該組電芯電壓。充電過(guò)程中若電壓超過(guò)4.2V，單片機(jī)控制腳BLA置為高電平，此時(shí)該組電芯被短路，充電電流流經(jīng)R4給其他組電芯充電，由此保證各組電芯電量在充電完成后具有較好的一致性。二級(jí)保護(hù)是不可逆的，只有在非常危急的情況下才會(huì)啟動(dòng)，電路如圖3（b）所示。BQ29411是一款靜態(tài)電流僅2μA的二級(jí)保護(hù)芯片。任意一組電芯電壓超過(guò)4.4V，OUT將輸出高電平，三端保險(xiǎn)絲F3開(kāi)始加熱，當(dāng)溫度超過(guò)139℃時(shí)保險(xiǎn)絲就會(huì)熔斷。（文章來(lái)源：元器件交易網(wǎng)）
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